0.635mm厚度斯利通陶瓷电路基板

　　LED封装方式是以芯片借由打线、共晶或覆晶的封装技术与其散热基板连结而成LED芯片，再将芯片固定于系统板上连结成灯源模组。
　　目前，LED封装方法大致可区分为透镜式以及反射杯式，其中透镜的成型可以是模塑成型透镜黏合成型；而反射杯式芯片则多由混胶、点胶、封装成型；近年来磊晶、固晶及封装设计逐渐成熟，LED的芯片尺寸与结构逐年微小化，高功率单颗芯片功率达1~3W，甚至是3W以上，当LED功率不断提升，对于LED芯片载版及系统电路版的散热及耐热要求，便日益严苛。
　　鉴于绝缘、耐压、散热与耐热等综合考量，氮化铝陶瓷基板成为以芯片次黏着技术的重要材料之一。其技术可分为厚膜工艺、低温共烧工艺与薄膜工艺等方式制成。然而，厚膜工艺与低温共烧工艺，是利用网印技术与高温工艺烧结，易产生线路粗糙、对位不、与收缩比例问题，若针对线路越来越精细的高功率LED产品，或是要求对位准确的共晶或覆晶工艺生产的LED产品而言，厚膜与低温共烧的氮化铝陶瓷基板，己逐渐不敷使用。
　　为此，高散热系数薄膜陶瓷散热基板，运用溅镀、电／化学沉积，以及黄光微影工艺而成，具备金属线路、材料系统稳定等特性，适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的发展趋势，是解决了共晶／覆晶封装工艺对陶瓷基板金属线路解析度与度的严苛要求。当LED芯片以氮化铝陶瓷作为载板时，此LED模组的散热瓶颈则转至系统电路板，其将热能由LED芯片传至散热鳍片及大气中，随着LED芯片功能的逐渐提升，材料亦逐渐由FR-4转变至金属芯印刷电路基板，但随着高功率LED的需求进展，MCPCB材质的散热系数(2~4W/mk)无法用于高功率的产品，为此，氮化铝陶瓷电路板的需求便逐渐普及，为确保LED产品在高功率运作下的材料稳定性与光衰稳定性，以氮化铝陶瓷作为散热及金属布线基板的趋势已日渐明朗。氮化铝陶瓷材料目前成本MCPCB，因此，如何利用氮化铝陶瓷高散热系数特性下，节省材料使用面积以降低生产成本，成为陶瓷LED发展的重要指标之一。因此，近年来，以氮化铝陶瓷材料COB设计整合多晶封装与系统线路亦逐渐受到各封装与系统厂商的重视。
　　COB，在电子制造业里并不是一项新鲜的技术，是指直接将裸外延片黏贴在电路板上，并将导线／焊线直接焊接在PCB的镀金线路上，也是俗称中的打线，再透过封胶的技术，有效的将IC制造过程中的封装步骤转移到电路板上直接组装。在LED产业中，由于现代科技产品越来越讲究轻薄与高可携性，此外，为了节省多颗LED芯片设计的系统板空间问题，在高功率LED系统需求中，便开发出直接将芯片黏贴于系统板的COB技术。
　　COB的优点在于：高成本效益、线路设计简单、节省系统板空间等，但亦存在着芯片整合亮度、色温调和与系统整合的技术门槛。以25W的LED为例，传统高功率25W的LED光源，须采用25颗1W的LED芯片封装成25颗LED元件，而COB封装是将25颗1W的LED芯片封装在单一芯片中，因此需要的二次光学透镜将从25片缩减为1片，有助于缩小光源面积、缩减材料、系统成本，进而可简化光源系二次光学设计并节省组装人力成本。此外，高功率COB封装仅需单颗高功率LED即可取代多颗1瓦(含)以上LED封装，促使产品体积加轻薄短小。
　　目前市面上，生产COB产品仍以使用MCPCB基板为主，然而MCPCB仍有许多散热以及光源面积过大的问题须解决，故其根本之道，还是从散热材料新为有效的解决方案。氮化铝陶瓷COB基板有以下几个优势：
（1）高的热导率和匹配的热膨胀系数；
（2）牢、低阻的导电金属膜层；
（3）基板的可焊性与耐焊性好，使用温度范围广；
（4）绝缘性好；
（5）导电层厚度在1μm～1mm内可调；
（6）高频损耗小，可进行高频电路的设计和组装；
（7）可进行高密度组装，线/间距（L/S）分辨率可以达到20μm,从而实现设备的短、小、轻、薄化；
（8）不含**成分，耐宇宙射线，在航空航天方面可靠性高，使用寿命长；
（9）铜层不含氧化层，可以在还原性气氛中长期使用。
（10）三维基板、三维布线。